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台积电2纳米制程迈入试产阶段:苹果锁定首批产能,iPhone 17或将首发搭载

发布时间:2024-07-29 20:11:34 作者:电子资源网 阅读:3次

7月15日消息,台积电先进的2纳米制程技术已进入关键时刻,据悉于本周正式启动试生产阶段。此番举动标志着半导体制造工艺的重大飞跃,其中,苹果公司凭借其行业影响力与台积电的长期合作关系,预期将率先获得这一尖端制程的首批产能。

台积电2纳米制程迈入试产阶段:苹果锁定首批产能,iPhone 17或将首发搭载

台积电 2nm 制程芯片测试、生产与零组件等设备已在二季度初期入厂装机,本周将在新竹宝山新建晶圆厂进行 2nm 制程试产,并计划 2025 年量产,消息称预计由 iPhone 17 系列搭载。

注:iPhone 15 Pro 搭载采用台积电 3nm 工艺(N3B)制造的 A17 Pro 芯片;M4 iPad Pro 采用了下一代 3nm 技术(N3E)。消息称台积电 2nm 性能将比 3nm 提升 10~15%,功耗最高降低 30%。

此外,苹果 M5 芯片规划 2025 年跟进 SoIC(系统整合芯片)封装并量产,SoIC 技术是将多个不同功能芯片垂直堆叠,形成紧密的三维结构。

半导体业内人士表示,随着 SoC(系统单芯片)越来越大,未来 12 寸晶圆可能只能摆放一颗芯片,这对于晶圆代工厂良率及产能均是极大挑战。因此台积电加速研发 SoIC,希望通过立体堆叠芯片技术,满足芯片所需晶体管数量等要求。

供应链透露,相对于 AI 芯片,苹果芯片的 SoIC 制作相对容易,台积电目前 SoIC 月产能约 4 千片,明年将至少扩大一倍。

台积电创新突破:“方”代“圆”FOPLP封装技术,专业团队领航半导体未来

7月16日消息,半导体巨头台积电近日宣布了一项重要进展,即已成立专项小组,致力于开发革命性的扇出型面板级封装技术(FOPLP)。这项创新旨在打破传统,用“方形”设计理念取代以往的“圆形”晶圆封装模式,引领行业迈向更高集成度与效能的新纪元。

台积电创新突破:“方”代“圆”FOPLP封装技术,专业团队领航半导体未来

台积电于 2016 年着手开发名为 InFO(整合扇出型封装)的 FOWLP(扇出型晶圆级封装)技术,用于 iPhone 7 系列手机的 A10 芯片上,之后封测厂积极推广 FOWLP 方案,希望用更低的生产成本吸引客户。

只是现阶段 FOWLP 封装方案在技术方面没有太大的突破,在终端应用方面依然停留在 PMIC(电源管理 IC)等成熟工艺产品上。

而最新消息称台积电这次组建了专业的研发团队,计划研发长 515 毫米、宽 510 毫米的矩形半导体基板,将先进封装技术从 wafer level(晶圆级)转换到 panel level(面板级)。

台积电发展的 FOPLP 可视为矩形的 InFO,具备低单位成本及大尺寸封装的优势,在技术上可进一步整合台积 3D fabric 平台上其他技术,发展出 2.5D / 3D 等先进封装,以提供高端产品应用服务。

台积电的 FOPLP 可以想象成矩形的 CoWoS,目前产品锁定 AI GPU 领域,主要客户是英伟达,如果该项目推进顺利,最早会在 2026-2027 年亮相。

台积电承制英特尔Falcon Shores次世代AI与HPC GPU,已完成初步设计验证

近日消息,英特尔下一代专为AI与高性能计算(HPC)设计的GPU芯片Falcon Shores,已经确定将由台积电负责生产制造。这款GPU芯片已经完成了Tape out(流片)阶段,这意味着设计阶段已经结束,芯片设计的数据已经被送到晶圆厂,准备开始生产。按照计划,Falcon Shores芯片将在明年底进入大规模量产阶段。

台积电承制英特尔Falcon Shores次世代AI与HPC GPU,已完成初步设计验证

具体来说,英特尔的 Falcon Shores GPU 将采用台积电 3nm、5nm 先进制程制造, HBM 集成方面也将采用台积电的 CoWoS-R 工艺。

注:CoWoS-R 是一种完全以 RDL 层取代硅中介层,成本更低的 2.5D 封装集成工艺,结构如下图所示:

报道还指出,英特尔在 Falcon Shores 产品线上规划了至少三款不同等级的芯片,分别瞄准高中低三档市场,全面争夺 AI 加速器订单。

台积电与英特尔双方都未对该市场传闻进行评论。根据英特尔以往表态,Falcon Shores 将成为 Ponte Vecchio 数据中心 GPU 和 Gaudi  3 加速器的共同后继者,搭载下一代英特尔 Xe 架构并集成 Gaudi 架构的精华,定于 2025 年发布。

英特尔将在 Falcon Shores 产品线上实施快速迭代策略,第二代产品定于 2026 年推出。

晶合集成光刻掩模版惊艳登场,行业迎来继台积电、中芯国际后第三大综合代工巨擘

7月24日消息,晶合集成电路股份有限公司(晶合集成)于7月22日成功展示了安徽省首片自主研发的半导体光刻掩模版,标志着安徽省在半导体核心技术领域取得突破性进展,显著增强了本土半导体产业的自给自足能力及国际竞争力。

晶合集成光刻掩模版惊艳登场,行业迎来继台积电、中芯国际后第三大综合代工巨擘

晶合集成表示,光刻掩模版成功亮相,标志着该公司在晶圆代工领域成为台积电、中芯国际之后,可提供资料、光刻掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。

据介绍,掩模版是连通芯片设计和制造的纽带,用于承载设计图形,通过光线透射将设计图形转移到光刻胶上,是光刻工艺中不可或缺的部件。

晶合集成目前可提供 28-150 纳米的光刻掩模版服务,将于今年四季度正式量产,服务范围包括光刻掩模版设计、制造、测试及认证等,计划为晶合客户提供 4 万片 / 年的产能支持。

查询公开资料获悉,晶合集成成立于 2015 年 5 月,由合肥市建设投资控股(集团)有限公司与力晶创新投资控股股份有限公司合资建设,位于合肥市新站高新技术产业开发区综合保税区内,是安徽省首家 12 英寸晶圆代工企业。

晶合集成专注于半导体晶圆生产代工服务,为客户提供 150-40 纳米不同制程工艺。2023 年 5 月,晶合集成正式在上海证券交易所科创板挂牌上市,成为安徽省首家成功登陆资本市场的纯晶圆代工企业。

晶合集成已实现显示驱动芯片(DDIC)、微控制器(MCU)、CMOS 图像传感器(CIS)、电源管理(PMIC)、逻辑应用(Logic)等平台各类产品量产,产品应用涵盖消费电子、智能手机、智能家电、安防、工控、车用电子等领域。

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