韩国Kakao创始人金范洙涉嫌并购股票操纵，面临逮捕审查

近日消息，韩国互联网企业Kakao的创始人金范洙目前正面临涉嫌在收购SM娱乐公司的过程中恶意操纵股价的指控，并已接受了逮捕必要性审查。

这是 Kakao 公司在去年因同一收购案涉嫌违法行为而接受审判后，最新的法律进展。检方表示，金范洙在去年 2 月涉嫌操纵 SM 娱乐的股票价格，以阻止竞争对手 HYBE 收购这家 K-Pop 公司。

Kakao 在一份声明中否认了这些指控，声称金范洙从未下令、容忍任何非法活动。据报道，金范洙是 Kakao Corp 的创始人和最大股东，通过他或关联实体控制着公司 24% 的股份。

检方认为，金范洙涉嫌在 Kakao 去年 2 月收购 SM 娱乐的过程中，分 4 天（2 月 16 日、17 日、27 日、28 日）投入约 2400 亿韩元（当前约 12.57 亿元人民币）购入 SM 股份，以抬高股价，妨碍竞争对手 HYBE 的公开收购。其中，28 日是 HYBE 公开收购 SM 股票的截止日期，由于当天 SM 股价以高于公开收购价格（12 万韩元）的 12.76 万韩元（当前约 668 元人民币）报收，导致 HYBE 最终放弃收购。

革命性突破！韩国CXL GPU Image技术实现超低延迟显存扩展

7月5日消息，由韩国科学技术院（KAIST）鼎力支持的初创企业Panmnesia，正式对外公布了其研发的一项突破性技术——通过PCIe接口实现GPU显存的扩展，彻底颠覆了传统GPU受限于自身显存容量的局限。

这项名为CXL GPU Image的技术，通过Compute Express Link（CXL）协议，使GPU能够直接访问系统存储，并将其作为显存使用。

Panmnesia开发的CXL协议，不仅打破了存储器容量的限制，还提供了一种有效的基础设施，解决了高带宽存储器（HBM）的局限性。

这项技术特别适合人工智能GPU，它可以通过PCIe上的CXL协议添加外部存储器，从而扩展内置的HBM。

CXL GPU Image方案的延迟时间控制在100纳秒（0.0000001秒）以内，这一速度明显快于传统的固态硬盘，几乎可以忽略不计。

Panmnesia为此开发了一系列硬件层，整合到一个统一的控制器中，支持所有关键的CXL协议，实现了这一成果。

这项技术的出现，为GPU显存扩展提供了一种新的解决方案，尤其对于需要处理大量数据的人工智能应用来说，将大大提高效率。

韩国周星工程革新ALD技术，3D堆叠晶体管引领半导体未来，EUV工艺效率再升级

7月16日消息，韩国领先的半导体企业周星工程（Jusung Engineering）今日宣布，其科研团队成功研发出一项革命性的原子层沉积（ALD）技术。这一创新成果有望在先进芯片制造过程中大幅降低对极紫外光刻（EUV）工艺的依赖，从而简化生产流程并提升整体效率。

注：极紫外光刻（EUV）又称作超紫外线平版印刷术，是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前用于 7 纳米以下的先进制程，于 2020 年得到广泛应用。

周星工程董事长 Chul Joo Hwang 表示当前 DRAM 和逻辑芯片的扩展已达到极限，因此需要像 NAND 一样，通过堆叠晶体管的方式克服这个问题。

半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸，一种方案就是堆叠晶体管，其中一个佐证是深紫外线（DUV）设备有望用于生产 3D DRAM。

Hwang 说，随着堆叠变得越来越重要，ALD 机器的需求也将增加。III-V 和 IGZO 半导体的生产也需要 ALD 设备。

韩国科研团队突破IEEE预期，成功研发亚纳米级晶体管，开启微电子新时代

近日消息，韩国基础科学研究院（IBS）的研究团队取得了令人瞩目的科技进步，他们成功地研发出了亚纳米级别的晶体管技术，这一成就超乎了行业内的普遍预期，树立了半导体技术领域的新里程碑。

据了解，半导体器件的集成度取决于栅极电极的宽度和长度。在传统的半导体制造工艺中，由于光刻分辨率的限制，将栅极长度减少到几纳米以下是不可能的。二维半导体二硫化钼的镜面孪晶边界（MTB）是宽度仅为 0.4 纳米的一维金属，因此，研究人员将其用作栅极电极，可克服光刻工艺的限制。

这一成果显著优于国际电气电子工程师学会 (IEEE) 的预测，IEEE 此前发布的国际集成电路设备和系统路线图 (IRDS) 预测，到 2037 年，芯片制程工艺将达到 0.5 纳米左右，晶体管栅极长度为 12 纳米。而韩国研究人员研发的 1D MTB 晶体管栅极长度仅为 3.9 纳米。

这项研究于 7 月 3 日发表在《自然・纳米技术》杂志上，研究团队在论文中解释说，他们通过原子级控制现有二维半导体的晶体结构，将其转化为一维的镜像孪生边界 (MTB) 金属相，实现了这一突破。人工控制晶体结构来合成材料是这项技术进步的关键。

与传统鳍式场效应晶体管 (FinFET) 或 GAA 技术相比，这种新型的 1D MTB 晶体管还具有固有的优势。研究人员表示，由于其简单的结构和极窄的栅极宽度，这种晶体管可以最大限度地减少寄生电容，从而带来更高的稳定性。

IBS 的 JO Moon-Ho 所长对该技术的前景表示乐观，认为 1D MTB 晶体管有望成为未来研发各种低功耗高性能电子设备的关键技术。