IBM T.J. Watson研究中心的Robert Dennard博士成功取得DRAM专利

扩展阅读

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。

由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

扩展阅读：

相比2018年旧款，新版HOF EXTREME内存采用陶瓷白镜面，还原陶瓷温润质感，边缘CNC切割处理。移除了“Extreme Performance”的镭雕字样，整体视觉更加简约。

其采用2毫米厚的铝质散热马甲紧贴内存颗粒，单条容量8GB，配合顶部大面积的多锯齿状散热鳍片，提供高效的被动散热。

内存颗粒优选大名鼎鼎的三星B-Die，搭配升级的10层加强版白色A2 PCB，除了有更好的电气布局外，还带有专属的名人堂LOGO。

频率方面，在旧版3600MHz、4000MHz两种频率基础上，又新增了4266MHz、4400MHz两种超高频率，时序则进一步升级和优化，最低仅为16-16-16-36，最高也不过19-19-19-39。

扩展阅读

CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engine）用来校准ODT（On Die Termination）内部终端电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化。

可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

扩展阅读

阴极射线是低压气体放电过程出现的一种奇特现象。早在1858年就由德国物理学家普吕克尔在观察放电管中的放电现象时发现。当时他看到正对阴极的管壁发出绿色的荧光。

阴极射线管，是一种能减少阴极加热器耗电的阴极射线管。其中，旁热式阴极结构体，具备热电子发射物质层的金属基底；在一端的部位上设有保持基底金属，在内部还设有收纳加热器游离电子的管状套筒；加热器的主要部分筒径较大，加热器腿部一侧的筒径较小，而且也是支承套筒的异形支承体。

阴极射线管（CRT）是由英国人威廉·克鲁克斯首创，可以发出射线，这种阴极射线管被称为克鲁克斯管。1946年，弗雷迪·威廉姆斯在阴极射线管的基础上创造除了阴极射线管储存器，并在年底为他的阴极射线管（CRT）存储设备申请了专利。