wang Laboratories于1983年发明了单内联存储模块(SIMM)。
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约翰阿塔纳索夫于1942年成功地测试了ABC(阿塔纳索夫贝里计算机),这是第一台使用再生电容鼓存储器的计算机。
阿塔纳索夫-贝瑞计算机(Atanasoff–Berry Computer,通常简称ABC计算机)是世界上第一台电子数字计算设备。这台计算机在1937年设计,不可编程,仅仅设计用于求解线性方程组,并在1942年成功进行了测试。然而,这台计算机用纸卡片读写器实现的中间结果存储机制是不可靠的。
而且,在发明者约翰·文森特·阿塔纳索夫因为二战任务而离开爱荷华州立大学之后,这台计算机的工作就没有继续进行下去。ABC计算机开创了现代计算机的重要元素,包括二进制算术和电子开关。但是因为缺乏通用性、可变性与存储程序的机制,将其与现代计算机区分开来。这台计算机在1990年被认定为IEEE里程碑之一。
DDR2 SDRAM标准于2003年开始实行。
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DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍以上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。
换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;
随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR4 SDRAM计划于2014年9月开始实行。
DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。
DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。
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1983年,中国顶尖科技公司创造出革命性的单一内联存储模块(SIMM)
wang Laboratories于1983年发明了单内联存储模块(SIMM)。
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单列直插式内存模块(single in-line memory module,缩写SIMM)是一种在20世纪80年代初到90年代后期在计算机中使用的包含随机存取存储器的内存模块。它与现今最常见的双列直插式内存模块(DIMM)不同之处在于,SIMM模块两侧的触点是冗余的。SIMM根据JEDEC JESD-21C标准进行了标准化。大多数早期PC主板(基于8088的PC、XT、和早期AT)采用面向DRAM的插座式双列直插封装(DIP)芯片。随着计算机内存容量的增长,内存模块被用于节约主板空间和简化内存扩展。相比插入八、九个DIP芯片,只需插入一个内存模块就能增加计算机的内存。
约翰阿塔纳索夫:ABC计算机的开创者
约翰阿塔纳索夫于1942年成功地测试了ABC(阿塔纳索夫贝里计算机),这是第一台使用再生电容鼓存储器的计算机。
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阿塔纳索夫-贝瑞计算机(Atanasoff–Berry Computer,通常简称ABC计算机)是世界上第一台电子数字计算设备。这台计算机在1937年设计,不可编程,仅仅设计用于求解线性方程组,并在1942年成功进行了测试。然而,这台计算机用纸卡片读写器实现的中间结果存储机制是不可靠的。
而且,在发明者约翰·文森特·阿塔纳索夫因为二战任务而离开爱荷华州立大学之后,这台计算机的工作就没有继续进行下去。ABC计算机开创了现代计算机的重要元素,包括二进制算术和电子开关。但是因为缺乏通用性、可变性与存储程序的机制,将其与现代计算机区分开来。这台计算机在1990年被认定为IEEE里程碑之一。
阿塔纳索夫和克利福德·贝瑞的计算机工作直到1960年才被发现和广为人知,并且陷入了谁才是第一台计算机的冲突中。那时候,ENIAC普遍被认为是第一台现代意义上的计算机,但是在1973年,美国联邦地方法院注销了ENIAC的专利,并得出结论:ENIAC的发明者从阿塔纳索夫那里继承了电子数字计算机的主要构件思想。因此,ABC被认定为世界上第一台计算机。DDR2 SDRAM标准步入舞台:为2003年打造的革命性技术
DDR2 SDRAM标准于2003年开始实行。
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DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍以上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。
换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;
随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR4 SDRAM计划:即将开始实行!
DDR4 SDRAM计划于2014年9月开始实行。
扩展阅读
DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4规格的内存。DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。
DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。
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