三星正开发新型LLW DRAM：拥有1.2pJ/bit超低功耗

近日，三星最近正在研发新型存储器LLW DRAM，将高带宽、低延迟、低功耗的特性结合在一起。三星将新的内存技术定位在需要运行大型语言模型（LLM）的设备上，未来也可能出现在各种客户端工作负载中。

LLW DRAM作为一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。

同时，LLW DRAM还有另一个重要特性，就是1.2pJ/bit的超低功耗，不过三星没有告知该功耗下的具体数据传输速率。

据了解，LLW DRAM在设计上可能会借鉴GDDR6W，并采用扇出晶圆级封装（FOWLP）技术将多个DRAM集成到一个封装中。

目前三星已公布技术的预期性能细节，根据过往经验，LLW DRAM很可能到了开发阶段的尾声。

三星Galaxy Z Fold 6 Slim独步创新：8英寸内屏巨献，限定市场专享

7月5日消息，有关三星Galaxy Z Fold 6 Slim的最新消息引发热议，这款备受期待的折叠屏旗舰手机将首次搭载一块8英寸的内屏，刷新了三星折叠屏设备的屏幕尺寸纪录。

值得注意的是，Galaxy Z Fold 6 Slim将采取更为细分的市场策略，仅在中国等少数特定市场进行发售，旨在为这些地区的消费者带来独一无二的科技体验。

这款更为轻薄的折叠屏手机将首次配备 8 英寸内屏，此外其还将拥有 6.5 英寸外屏，较 Galaxy Z Fold 6 标准版的 7.6 英寸内屏和 6.3 英寸外屏更大。

韩媒称三星此前就开发出了 8 英寸内屏折叠屏手机的样机，但当时的样品存在厚度过大影响握持的问题。

报道指出，三星电子直到今年初才决定要在 Z Fold 6 和 Z Flip 6 的基础上为今年的折叠屏手机产品线新增一款超薄横向折叠型号，因此 Z Fold 6 Slim 的开发十分匆忙。

报道还提到，三星在今年 5 月对 Z Fold 6 Slim 进行了全面测试。

结果显示其内屏可承受 20 万次折叠，整体的防尘防水性能也达到了预期，不过在厚度方面仍然比不上中国国内的折叠屏手机产品。

三星电子目前内部为 Z Fold 6 Slim 规划的产能目标是到今年年底出货 40 万~50 万台，供应十分有限，因此这款机型将仅在有限市场销售。

根据此前报道，三星 Galaxy Z Fold 6 Slim 手机预计在国内以 W25 的名义发售，而 W25 机型近日已通过国家 3C 认证。

三星Galaxy Z Fold6/Flip6强化安全策略，限制侧载应用成为新标准

7月24日消息，科技媒体发布博文，即将推出的新款三星Galaxy手机和平板电脑，搭载One UI 6.1.1系统，将采取安全措施，默认限制用户安装来自非官方渠道的应用程序，此举意在提升设备的安全性能。

权限简介

简要介绍下安卓权限相关信息如下：

INSTALL_PACKAGES

从技术上讲，安卓已经在操作系统层面默认阻止了侧载行为。INSTALL_PACKAGES 权限（不提示用户的情况下静默安装新 App）仅授予手机预装的应用商店（例如 Play Store，或者厂商的应用商店），且会自动授予提出申请的应用。

REQUEST_INSTALL_PACKAGES

而大部分第三方应用商店使用的是 REQUEST_INSTALL_PACKAGES 权限，在安装应用过程中需要明确得到用户的授权。每次有此权限的应用程序试图安装新应用程序时，安卓系统都会提示用户。

Auto Blocker 功能

三星在 One UI 6.0 中首次推出 Auto Blocker 功能，即使应用已获得 REQUEST_INSTALL_PACKAGES 权限，也可完全阻止安装未经授权的应用。

三星手机启用 Auto Blocker 功能之后，用户只能通过 Google Play 应用商店和三星 Galaxy 应用商店安装和更新应用程序。

三星 One UI 6.0 系统中，Auto Blocker 是可选功能，默认没有启用，用户可以打开设置应用，在“安全和隐私”中手动启用“Auto Blocker”。

三星 Galaxy Z Fold6 和 Galaxy Z Flip6 两款手机预装 One UI 6.1.1 更新，已经默认启用 Auto Blocker 功能，不过用户可以关闭该选项，继续侧载应用。而此前设备升级 One UI 6.1.1，将会保留原先设置，默认处于禁用状态。

三星华城17号线启动HBM3内存量产，平泽P4全力转产DRAM应对市场紧俏

近日消息，三星不仅有望在第三季度向英伟达交付产品，实际上根据韩国媒体的最新报道，三星已于华城的17号生产线启动了HBM3内存的批量生产，并已着手向英伟达供货，此举进一步证实了双方合作的加速步伐。

此外，为弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺，平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线。

三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设。韩媒称 NAND 闪存产线也没有进一步投资的计划。

业内人士称：

目前，P4 是三星（韩国）国内业务中唯一可以增加 DRAM 产能的空间。该公司已经制定了计划，在可以增加半导体产能的空间首先投资 DRAM。