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三星One UI 7界面革新:彻底重塑图标设计,下拉栏焕新登场,动画效果再升级

发布时间:2024-07-26 09:04:38 作者:电子资源网 阅读:3次

7月16日消息,三星电子正在筹备其最新的操作系统更新,One UI 7,预计将会是迄今为止最激进的视觉和用户体验变革。多位业内知名博主透露,这次更新将对三星手机的用户界面进行彻底的改造,其中最为瞩目的莫过于图标设计的全面重塑以及下拉通知栏的重大改良。

三星One UI 7界面革新:彻底重塑图标设计,下拉栏焕新登场,动画效果再升级

有博主还称,三星 One UI 7 将迎来动画优化。运行 Android 15 底层 One UI 7 系统的三星 Galaxy S24 Plus 已经出现在了 GeekBench 上,单核 2114 分,多核 6616 分,说明三星在进行相关适配工作。

回顾去年,三星 One UI 6 测试版于 2023 年 8 月公开,国行 Galaxy S23 系列手机于 2023 年 9 月初开启 One UI 6 测试,然后稳定版 One UI 6 直到 2023 年 10 月底才正式发布(国行 2023 年 11 月)。

三星匠心独运,Galaxy Z Flip6奥运特别版为1.7万体坛精英献礼

近日消息,三星旗下最新折叠屏手机Galaxy Z Flip6迎来一款意义非凡的版本——奥运特别版。这款专为即将踏上2024年巴黎奥运会和残奥会征程的运动员们定制的智能手机,不仅融合了顶尖科技与个性化设计,更象征着对体育精神的崇高敬意。

三星匠心独运,Galaxy Z Flip6奥运特别版为1.7万体坛精英献礼

该特别版手机是首款搭载三星 Galaxy AI 的奥运手机,生成式人工智能将帮助运动员提升赛场体验,并预装了全套专属服务和实用应用。而且,这也是三星首次在产品正式上市之前将其提供给运动员使用。

Z Flip6 奥运版采用亮眼的黄色,并饰有金色奥运五环和残奥会会徽。三星携手法国国家队开幕式服装设计者 Berluti 为每部手机打造了专属的皮革保护壳。该保护壳由 Venezia 皮革制成,每个保护壳都具有独特的古铜色调,其鲜艳的色彩灵感源自奥运五环。

Galaxy Z Flip6 奥运版内置一系列实用的 Galaxy AI 功能,帮助来自世界各地的运动员在巴黎无障碍交流:

实时翻译:可以将电话内容实时翻译成 16 种语言。

翻译员:可以即时翻译对话,即使运动员们互不相同语言也能轻松交流。

写作者:通过简单的关键字帮助运动员撰写电子邮件和社交媒体帖子。

奥运健儿们还可以利用 Galaxy AI 功能备战比赛、表达创意和记录赛事回忆:

即时慢动作:录制、分享和分析慢动作的运动表现,以便改进技术。

拍照助手:确保运动员每次都能拍摄到完美的照片。

为让运动员获得更棒的奥运和残奥会体验,Flip6 奥运版内置了特定的服务和应用。该版本手机与 Orange 合作,配备了拥有 100GB 5G 数据的 eSIM 卡,并且运动员可以享受三星两年全球保修服务。

此外,运动员还可以获得多个国际奥委会 (IOC) 官方应用,例如 Athlete 365、奥运商店、巴黎 2024、交通认证应用程序和国际奥委会热线。

三星钱包还预装了与可口可乐公司合作的奥运村和残奥村自动售货机免费饮料的应用内通行证。同时,与法兰西岛交通局 (IDFM) 合作,运动员还可以享受无限次的免费公共交通通行卡。

每台 Z Flip6 奥运版还将拥有巴黎 2024 主题的趣味应用,例如 PinQuest 和 Galaxy Experience。

以往,运动员领奖时禁止携带个人物品登上领奖台。但这次,三星将提供 Z Flip6 奥运版供其在领奖台上使用,运动员们可以自拍留念,记录胜利时刻。所有自拍照将实时上传至 Athlete365,运动员可以与家人和朋友分享和保存这些标志性时刻。

近 17,000 名参加巴黎奥运会的运动员将获得这款定制版 Galaxy Z Flip6 智能手机,运动员们将从 7 月 18 日开始陆续收到手机。

三星华城17号线启动HBM3内存量产,平泽P4全力转产DRAM应对市场紧俏

近日消息,三星不仅有望在第三季度向英伟达交付产品,实际上根据韩国媒体的最新报道,三星已于华城的17号生产线启动了HBM3内存的批量生产,并已着手向英伟达供货,此举进一步证实了双方合作的加速步伐。

三星华城17号线启动HBM3内存量产,平泽P4全力转产DRAM应对市场紧俏

此外,为弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺,平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线。

三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设。韩媒称 NAND 闪存产线也没有进一步投资的计划。

业内人士称:

目前,P4 是三星(韩国)国内业务中唯一可以增加 DRAM 产能的空间。该公司已经制定了计划,在可以增加半导体产能的空间首先投资 DRAM。

三星正开发新型LLW DRAM:拥有1.2pJ/bit超低功耗

近日,三星最近正在研发新型存储器LLW DRAM,将高带宽、低延迟、低功耗的特性结合在一起。三星将新的内存技术定位在需要运行大型语言模型(LLM)的设备上,未来也可能出现在各种客户端工作负载中。

三星正开发新型LLW DRAM:拥有1.2pJ/bit超低功耗

LLW DRAM作为一种低功耗内存,拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽,与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。

同时,LLW DRAM还有另一个重要特性,就是1.2pJ/bit的超低功耗,不过三星没有告知该功耗下的具体数据传输速率。

据了解,LLW DRAM在设计上可能会借鉴GDDR6W,并采用扇出晶圆级封装(FOWLP)技术将多个DRAM集成到一个封装中。

目前三星已公布技术的预期性能细节,根据过往经验,LLW DRAM很可能到了开发阶段的尾声。

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