HBM芯片产能激增：报告显示明年月产将飙升至54万颗，同比猛涨105%

7月10日消息，在SK海力士、三星及美光三大领军企业的强势引领下，高带宽内存（HBM）芯片的生产规模将迎来前所未有的扩张。据预测，至2025年，HBM芯片的月总产能将飙升至54万颗，相较于2024年的数据，新增产能达到了27.6万颗，实现了惊人的105%同比增长率。

高带宽内存是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，与高性能图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）、高性能数据中心的 AI 特殊应用集成电路结合使用，可以大幅减少半导体的功率和面积。

HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件，有媒体拆解英伟达 H100 芯片，物料成本约为 3000 美元（当前约 21847 元人民币），其中 SK 海力士供应的 HBM 成本就高达 2000 美元（当前约 14565 元人民币），占比 66%。

三大巨头现状

SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供应商，两家公司都采用 1beta 纳米工艺，并已向英伟达出货。

集邦咨询认为采用 1Alpha nm 工艺的三星预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。

三大巨头扩产计划

三星正在逐步升级其在韩国的平泽工厂（P1L、P2L 和 P3L），以便用于 DDR5 和 HBM。

同时，华城工厂（13/15/17 号生产线）正在升级到 1α 工艺，仅保留 1y / 1z 工艺的一小部分产能，以满足航空航天等特殊行业的需求。

SK 海力士以南韩利川市 M16 产线生产 HBM，并着手将 M14 产线升级为 1α／1β 制程，以供应 DDR5 和 HBM 产品。

此外，无锡厂目前正积极将制程由 1y／1z 升级到 1z／1α，分别用于生产 DDR4 及 DDR5 产品。

美光 HBM 前段在日本广岛厂生产，产能预计今年第四季提升至 2.5 万颗；长期将引入 EUV 制程（1γ、1δ），并建置全新无尘室。

中国芯片产能5年内翻倍：28nm及更成熟的制程，制程产能占比可达39%

近日消息，据国外机构最新调研显示，中国的芯片制造能力将在5到7年内增加一倍以上，“大大超过”市场预期。根据对中国48家拥有制造工厂的芯片制造商的分析，预计60%的新增产能可能会在未来3年内增加。

中国企业已加快采购重要的芯片制造设备，以支持产能扩张并增加供应。包括荷兰ASML和日本东京电子在内的领先半导体设备生产商在2023年收到了大量来自中国的订单。

机构统计，中国大陆半导体厂商2023年产能同比增长12%，达到每月760万片晶圆。预计中国大陆芯片制造商将在2024年开始运营18个项目，2024年产能同比增加13%，达到每月860万片晶圆。

由于美国等对先进设备出口管制，这导致中国大陆转而扩大投入成熟制程（28nm及更成熟的制程），预计2027年中国大陆成熟制程产能占比可达39%。

中芯国际、华虹集团、合肥晶合集成扩产最积极，扩产将聚焦于驱动芯片、CIS/ISP与功率半导体分立器件等特殊工艺。

芯片成本更高！村田、TDK领涨被动元件市场，成本压力推动最高20%

7月16日消息，全球被动元件行业正经历一场前所未有的涨价潮，其规模与影响远超历史上的任何一次。本轮被动元件价格上涨的幅度惊人，部分产品线最高涨幅甚至达到了20%，对全球电子产业链形成了新的成本压力。

本次涨幅主要驱动因素是智能手机旺季即将到来、PC 市场复苏以及今年白银价格飙升 30% 以上，导致村田（Murata）、TDK 株式会社等全球巨头纷纷计划提高产品价格。

行业消息称在生产多层电感器和磁珠中，银在成本中的占比高达 60%。今年以来，银价一度飙升近 40%，尽管最近略有回落，但今年迄今为止仍上涨了 35%，因此制造商在大规模生产这些元件时面临着巨大的成本压力。

村田、TDK 和太阳诱电三家电感器制造商，国巨（Yageo）和华新科技（Walsin Technology）集团等都计划提高多层电感器和磁珠的价格，报道预计大尺寸产品将率先涨价，涨幅在 10% 至 20% 之间。

被动元件

被动元件又称无源元件、无源器件，在不同领域有不同定义，可以指消耗但不产生能量的电子元件，或者指无法产生增益的电子元件。

多层电感器

多层电感器的特点是磁屏蔽，可以消除电磁干扰，有效抑制电路中的高频振荡。因此，它们非常适合高密度电路设计，根据尺寸的不同，这些电感器被广泛应用于消费电子产品甚至服务器中。

铁氧体磁珠

铁氧体磁珠的设计使用了铁氧体材料和多层制造工艺。它们的阻抗随频率而变化，这意味着它们在高频时能实现高阻抗，从而提供卓越的高频滤波特性。

磁珠能有效抑制噪音干扰，使其适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电源等终端产品。