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新一代高速内存问世！XDR-DRAM于2003年震撼上市

发布时间：2024-07-24 19:13:32 作者：电子资源网阅读：1次

XDR-DRAM于2003年开始销售。

2003年，XDR-DRAM开始销售

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XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写，这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起，新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计，同时可以工作在相当高的频率，带来让人难以置信的带宽。

英特尔发布商用DRAM英特尔1103：一款历史性产品引领科技革新

英特尔于1970年10月发布了第一款商用DRAM，即英特尔1103。能够存储1024位或1kb内存。

1970年10月，英特尔发布了第一款商用DRAM英特尔1103

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虽然现在大家都知道英特尔是一家处理器公司，但是他们最初可不是做处理器的，而是做存储芯片的。
如今的处理器中已经集成了SRAM芯片，当年的SRAM芯片都是独立存在的，而在SRAM之外，英特尔还在1970年开发出了世界上首个内存芯片——C1103，容量只有1Kb。别看容量小，但在当时可不低了，之后1103内存大获成功，在惠普9800系列电脑上大量应用，到了1972年1103已经是全球销量最好的DRAM内存芯片了，击败了当时的磁芯DRAM内存，英特尔当年获得了2300万美元的营收，而到了1974年C1103芯片的市场占有率达到82.9%。
不过英特尔C1103芯片的大获成功也引来更多竞争者，当年的半导体芯片都很简单，C1103发布没多久就遭到了其他厂商的复制，TI德仪就逆向破解C1103芯片从而在1971年推出看2K容量的DRAM芯片，1973年又推出了4K容量的芯片，开始跟英特尔正面竞争。

英特尔首推SRAM成败从1969年开始

英特尔于1969年发布了首款产品3101肖特基TTL双极64位静态随机存取存储器（SRAM）。同年，英特尔发布了3301肖特基双极1024位只读存储器（ROM）。

1969年，英特尔发布了首款产品SRAM，并在同年发布了ROM

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静态随机存取存储器（StATIc Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volATIle memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变，并且结构较简单，使用方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

1969年，英特尔发布了首款产品SRAM，并在同年发布了ROM

华裔王安引领创新：磁芯存储器传承百年宏图

磁芯存储器是华裔王安于1948年发明的。最初的磁芯存储器只有几百个字节的容量。

1948年，华裔王安发明了磁芯存储器

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磁芯存储器是随机存取计算机存储器的主要形式，存在20年。这种存储器通常被称为核心存储器，或者非正式地称为核心存储器。
核心使用微小的磁环（环），核心通过线程来写入和读取信息。每个核心代表一点信息。磁芯可以以两种不同的方式（顺时针或逆时针）磁化，存储在磁芯中的位为零或一，取决于磁芯的磁化方向。布线被布置成允许单个芯被设置为1或0，并且通过向所选择的导线发送适当的电流脉冲来改变其磁化。读取内核的过程会导致内核重置为零，从而将其擦除。这称为破坏性读数。在不进行读写操作时，即使关闭电源，内核也会保持最后的值。

1948年，华裔王安发明了磁芯存储器