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倒计时开启:三星Galaxy Z Flip6宣传图提前泄露,7月10日新品发布在即

发布时间:2024-07-24 16:19:08 作者:电子资源网 阅读:1次

7月3日消息,权威消息人士透过社交媒体平台披露了一组引人瞩目的图片,首次曝光了即将登场的三星Galaxy Z Flip6手机外观设计。

倒计时开启:三星Galaxy Z Flip6宣传图提前泄露,7月10日新品发布在即

根据分享的宣传照,这款备受期待的折叠屏新机呈现出迷人的蓝色调,其独特之处在于外屏巧妙地融入了“文件夹”式的视觉元素,而相机模块则以醒目的蓝色圆环加以点缀,与四周深邃的黑色边框形成鲜明对比,彰显出时尚与科技的完美融合。

三星官方已经确认将于 7 月 10 日在巴黎举办 Galaxy Unpacked 新品发布会,预估将会发布 Galaxy Z Fold 6 和 Z Flip 6 两款折叠屏手机。

附上三星 Galaxy Z Flip6 手机曝料规格信息如下:

高通骁龙 8 Gen 3 for Galaxy

6.7 英寸 120Hz FHD+ 屏幕

35W 充电(这个存在疑问),4000mAh 容量电池

5000 万像素 F / 1.8 主摄 +1200 万像素 F / 2.2 超广角

1000 万像素 F / 2.2 前置摄像头

12GB 内存

256GB / 512GB 存储

165x71.7x7.4mm

三星NavStar应用更新谜团:新版为何取消个性化按钮设置功能?

近日消息,三星社区的版主对用户们的反馈做出了回应,确认了在最新版的NavStar应用程序中,原本允许用户自定义导航栏按钮组合的功能已经被移除。这一消息引起了广泛关注,尤其是那些依赖于定制化按钮布局来优化操作流程的用户群体。

三星NavStar应用更新谜团:新版为何取消个性化按钮设置功能?

三星为 Galaxy 智能手机和平板推出了 NavStar 应用程序,为用户提供了额外选项定制导航栏以及滑动手势,让用户根据自身使用习惯定制使用体验。

NavStar 其中一个选项是让用户定制导航栏,当前版本的 NavStar 应用程序提供十七套按钮,每套按钮都有不同的设计。

而三星用户反馈在安装最新版 NavStar 应用程序之后,不再提供这些按钮组合。Good Lock 版主证实情况确实如此,但没有解释其原因。

三星Exynos 2500芯片:硅电容加持,打造Galaxy S25系列手机的超紧凑高性能引擎

7月17日消息,据韩国媒体报道,在7月15日的最新爆料中,三星电子正筹划在其旗舰级Exynos 2500移动处理器中集成硅电容技术,此举有望显著提升芯片的稳定性和能效表现。

三星Exynos 2500芯片:硅电容加持,打造Galaxy S25系列手机的超紧凑高性能引擎

注:硅电容(Silicon Capacitor)通常采用 3 层结构(金属 / 绝缘体 / 金属,MIM),超薄且性状靠近半导体,能更好地保持稳定电压以应对电流变化。

硅电容具有许多优点,让其成为集成电路中常用的元件之一:

首先,硅电容的制造成本较低,可以通过批量制造的方式大规模生产。

其次,硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单,易于加工和集成,硅电容的失效率较低。

此外,硅电容的尺寸小,占据空间少,适合集成电路的微型化和高密度集成。

报道指出三星电机(Samsung Electro-Mechanics)已开发出用于量产 Exynos 2500 芯片的测试设备,该芯片的前期量产工作已经就绪,即将开始量产。

三星计划在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+(有相关线索表明会被砍掉,目前无法确认)两款手机上使用 Exynos 2500 芯片。

三星 Exynos 2500 最近取得了突破性进展,至少目前流片的工程样品已经达到了 3.20GHz 高频,同时比苹果 A15 Bionic 更省电,将成为“迄今为止效率最高的芯片”。

三星电子宣布2024年底将批量生产256GB CXL 2.0内存模组,采用先进1y nm DRAM技术

7月18日消息,三星电子内存部门新业务规划团队领头人Choi Jang Seok于近日宣布,公司预计将在2024年底启动符合CXL 2.0标准的256GB CMM-D 2.0存储模块的批量生产,此举标志着三星在高速数据传输解决方案上又迈出了重要的一步。

三星电子宣布2024年底将批量生产256GB CXL 2.0内存模组,采用先进1y nm DRAM技术

该内存模组将配备较为成熟的 1y nm(第二代 10+ nm 级)工艺 DRAM 内存颗粒,发挥 CXL 内存模块对 DRAM 颗粒性能要求较低的优势。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。

除 CMM-D 外,三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品,包含配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。

Choi Jang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品,其在 CMM-D 的基础上还具备计算能力。

展望未来,Choi Jang Seok 称:“当 CXL 3.1 和池化(可在多个主机间共享 CXL 内存资源)技术得到支持后,CXL 市场将在 2028 年左右全面开花。”

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