SK海力士推出61TB容量固态硬盘PS1012 U.2，专为AI数据中心打造

12月18日消息，SK海力士正式宣布，他们已成功研发出一款专为AI数据中心设计的高容量固态硬盘产品，型号为PS1012 U.2（以下简称PS1012）。这款产品旨在满足AI数据中心对存储速度和容量的高要求，为AI应用提供更强大的数据存储和处理能力。

注：U.2 是固态硬盘的一种形态，是 2.5 英寸大小的 SSD，主要用于服务器、高性能工作站。

SK 海力士表示：“随着 AI 时代的正式到来，高性能企业级固态硬盘（eSSD，enterprise SSD）的需求正在急剧增加，能够实现其高容量的 QLC 技术正在成为业界标准，为了顺应这种趋势，公司开发出了适用该技术的 61TB（太字节）产品，并推向市场。”

PS1012 采用了最新的 PCIe 5.0，与基于第四代的产品相比其带宽增大了一倍。因此，数据传输速度可达 32GT/s（千兆传输 / 秒），顺序读取性能是以前一代规格产品的两倍，可达 13GB/s（千兆字节 / 秒）。

与此同时，该公司开发的此次产品可支持 OCP 2.0 版本，可提高 AI 数据中心服务器设备的兼容性。

SK 海力士计划在今年年内向全球服务器制造商提供样品进行产品评估，并计划在明年第三季度将产品群扩大至 122TB。

今年 11 月，SK 海力士开发出全球最高的 321 层 4D NAND 闪存技术，为了突破企业级固态硬盘的容量极限，该公司将同时进行基于 321 层 4D NAND 技术的 244TB 产品开发。

AI赋能企业级SSD市场激增：价格与需求双高涨，SK海力士加速扩产应对

8月20日消息，受人工智能服务器需求激增的驱动，企业级固态硬盘（SSD）市场见证了价格大幅上涨超过80%的态势。应对这一紧迫需求，SK海力士与其子公司Solidigm正紧锣密鼓地扩大NAND闪存的生产规模，力求稳定市场供应并抓住增长机遇。

AI 热潮持续升温，不仅带动了高带宽内存（HBM）芯片需求，如今也正在推动企业级 SSD 市场快速增长。AI 服务器存储的数据量呈指数级增长，企业纷纷抢购大容量 SSD，甚至不惜高价确保供应。

面对企业级 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正优先扩大采用四层单元（QLC）技术的企业级大容量 SSD 的产能。

据报道，SK 海力士正在逐步增加其清州 M15 工厂的晶圆投入，目标是到 2025 年初将月产能提高约 10%。与此同时，Solidigm 也受益于 SSD 需求的突然激增，第二季度实现盈利，并计划在 2025 年初将产能提高约 5%。

据了解，QLC 技术能够在每个存储单元存储 4 比特数据，相比仅能存储 3 比特的 TLC 技术，可以存储更多信息，降低功耗，并提供更快的读写速度。因此，QLC 技术非常适合超高容量的企业级 SSD。

目前仅 Solidigm 和三星两家存储厂商能够生产基于 QLC 技术的企业级大容量 SSD。其中，Solidigm 凭借 60TB QLC 企业级 SSD 占据市场领先地位。业内专家表示，Solidigm 的 QLC SSD 在主控兼容性等方面具有优势，自第二季度以来供不应求。

SK 海力士计划在 2025 年初推出 60TB QLC 产品后，进一步扩大产品线，推出容量高达 128TB 的下一代产品，巩固其在市场上的地位。

SK海力士DDR5内存涨价风波：HBM3/3E生产压力促使价格上浮15%-20%

近日消息，SK海力士对其DDR5 DRAM芯片实施了15%至20%的价格上调。据供应链内部人士分析，此次涨价主要归因于HBM3/3E内存产品的生产扩张，进而导致的产能紧张。这一变动反映出存储市场供需动态的变化及高端产品线对资源的占用情况。

今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。

早些时候还有报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。

SK海力士宣布量产全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存，2025年上半年出货

11月21日消息，SK 海力士宣布已开始量产全球最高层数的 321 层 1Tb TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。这项技术的突破不仅提升了存储密度，还为未来数据存储解决方案提供了更多可能性。

据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。

SK 海力士表示：“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。”

据介绍，SK 海力士在此次产品开发过程中采用了高效的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。

该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将 3 个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。

此外，SK 海力士技术团队也将上一代 238 层 NAND 闪存的开发平台应用于 321 层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了 59%。

SK海力士HBM内存：70%年增长率背后的消费级市场潜力揭秘

7月5日消息，SK海力士的副总裁及封装技术部门主管文奇郁（Moon Ki-ill）在4日于首尔召开的会议上透露，HBM内存的预计年均复合增长率（CAGR）将会高达70%。这一发言凸显了SK海力士对HBM市场未来发展的高度乐观态度及其强劲的增长潜力。

Moon Ki-ill 表示，市场研究机构 TrendForce 集邦咨询曾认为 2021~2027 年 HBM 内存市场的 CAGR 将为 26.4%，但下游客户的需求远远超过了第三方机构的预期。

根据以往报道，以 SK 海力士为首的三大 DRAM 企业已基本售罄 2025 年的 HBM 供应。

Moon Ki-ill 还提到，HBM 目前主要用于 AI 加速器，但未来价格下降后有望渗透到以 PC 和移动设备为代表的消费级市场。

AMD 曾在 GCN 架构世代推出过数款搭载 HBM 内存的高端消费级显卡（如 RX Vega 64、R9 Fury X 等），但那之后 HBM 就退出了消费级的视野。

Moon Ki-ill 称：“SK 海力士正在为 16 和 20 层堆叠的 HBM 内存生产准备混合键合技术，这将使它们在价格上更具竞争力。”