三星电子精进存储技术：4nm工艺赋能HBM4内存，引领行业创新风潮

7月16日消息，三星电子再次领跑行业，宣布将在下一代高带宽内存（HBM4）中采用自家4nm先进制程技术制造逻辑芯片。此举标志着三星在存储解决方案上的又一次重大突破，旨在通过提升内存综合能效和产品竞争力，引领存储行业迈向更高维度。

注：此处逻辑芯片指 Logic Die，SK 海力士称基础裸片 Base Die，美光称接口芯片 Interface Die。

层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容量；而 Logic Die 则是 DRAM 堆栈的控制单元，还负责通过互连层与处理器上的内存接口通信，也是 HBM 内存的重要组成部分。

传统上，存储厂商通常自行采用存储半导体工艺生产 HBM 内存的 Logic Die，流程更为简便。但来到 HBM4 世代后，Logic Die 需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽，甚至还要承载部分客户定制功能。

因此存储厂商转而选择与逻辑晶圆厂合作，用逻辑半导体工艺生产 HBM4 用 Logic Die。

此前就有消息传出，台积电将采用 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的基础裸片。

三星电子存储部门此番采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，一方面可提高 HBM4 内存综合能效，提升产品竞争力；另一方面，更为精细的 4nm 工艺也为各种定制功能的导入留出了更多空间。

不仅如此，此举也可为兄弟单位 LSI 部门提供一份规模不小的订单。

对于三星电子存储部门来说，在产品中导入 LSI 部门的先进工艺并非没有先例：其面向 OEM 端的消费级固态硬盘 PM9C1a 也配备了 LSI 部门代工的 5nm 主控。

三星One UI 7新特性曝光：搜索栏下移至抽屉底端，锁屏充电动画添彩生活

7月30日消息，三星即将推出的One UI 7系统在应用抽屉、锁屏界面设计上迎来了一系列新变化，预示着用户体验的进一步优化与个性化定制功能的增强。

应用抽屉

根据曝光的截图，搜索栏已经挪到底部，这样更便于单手操作。目前尚不清楚 One UI 7 设置中是否会添加相应选项，可以让用户定制搜索栏的位置。

主页面

三星还调整了 One UI Launcher，可以让用户显示 / 隐藏图标名称。

三星浏览器（Samsung Internet）

三星为浏览器 App（Samsung Internet）启用了全新的图标，并优化了字体显示效果。

锁屏

三星 One UI 7 还为锁屏设计推出了充电动画，网友分享了充电的显示效果。

三星Galaxy Z Fold6：革命性升级，首度实现在折叠模式下录入指纹

7月12日消息，三星电子宣布了一项振奋人心的更新：其旗舰产品Galaxy Z Fold6折叠屏智能手机，现已具备在折叠状态下直接进行指纹注册与添加的创新功能。

这是自2019年三星首推Galaxy Fold系列以来，首次实现如此便捷的生物识别操作，标志着三星在折叠屏技术与用户体验融合上迈出了重要一步。

三星自 2019 年发布初代 Galaxy Fold 折叠屏手机以来，用户如果想要添加指纹，只能在打开内屏状态下添加操作，而时隔 5 年终于支持折叠状态下，注册添加指纹了。

三星在 Galaxy Z Fold6 手机中，三星还优化了设置界面，表示用户可以在折叠状态下添加指纹认证，注册过程中会通过振动加以提示。

三星公司昨日还发布了固件更新，修复了 Galaxy Z Fold6 手机开机设计中没有注册指纹环节的问题。