铠侠光学互联SSD原型展示，重新定义存储设备间距新标准

8月9日消息，铠侠此前公告中透露，该公司将于FMS 2024峰会上展出一项创新成果：一款搭载先进光学接口技术的宽带固态硬盘原型。这项展示预示着存储技术领域的一次重大飞跃，为高带宽数据传输应用开辟了新途径。

铠侠表示，用光学接口替换电气接线接口，可在不影响性能与可用性的前提下显著增加计算设备与存储设备之间的物理距离。铠侠目前已经可以做到 40 米的光连接，未来还扩展至 100 米以上。

AI 大模型训练、云计算等已对服务器提出了更高的性能要求，CPU、GPU 等计算设备的功耗与发热量明显攀升。在主机本地安装固态硬盘不仅会提升整体散热负担，高温也对 NAND 闪存的寿命不利。

如果将存储设备放置到离计算设备有一段距离的独立空间，不仅可简化散热设计，也可提升固态硬盘的使用耐久。

不仅如此，利用光学交换机可实现对计算和存储设备的高效聚合与无缝互联，从而进一步推动“分解计算系统”的发展、提升资源利用效率。

在固态硬盘中使用更小更紧凑的光学接口，还可简化布线、提升信号完整性，能在高辐射的外太空等苛刻环境下实现高性能计算。

铠侠加速技术创新，七月量产1Tb版BiCS8 3D NAND闪存

7月4日消息，铠侠计划在本月内在日本三重县的四日市工厂开启 1Tb 版 BiCS8 3D NAND 闪存的量产工作。

由铠侠和西部数据联合研发的 BiCS8 闪存于 2023 年 3 月发布，其堆叠层数达到 218 层，引入了 CBA (CMOS directly Bonded to Array) 外围电路直接键合到存储阵列技术。

这一设计将外围短路和单元存储阵列划分在不同晶圆上单独制造，可提供更高的位密度的更快的 NAND I/O 速度。

铠侠-西部数据联盟在 BiCS8 闪存上规划了多款产品。除首发的 1Tb TLC 和 1Tb QLC 外，铠侠昨 (3) 日宣布面向高存储密度设备的 2Tb QLC 版 BiCS8 闪存也已出样。

铠侠-西部数据联盟未来还将进一步扩大闪存生产规模：

双方已决定投资 7290 亿日元（当前约 328.71 亿元人民币）扩建在三重县四日市和岩手县北上市联合运营的晶圆厂，用于生产 BiCS 8/9 两代闪存。日本政府将给予投资额 1/3 的补贴支持。新建设的产能将于 2025 年 9 月开始出货。

Kioxia依托全新BiCS FLASH技术，重磅推出2 Tb QLC闪存

7月3日消息，Kioxia Corporation 今日宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的2太比特（Tb）Quad-Level-Cell（QLC）内存器件已启动样品出货。

这款2Tb QLC器件，凭借其业界领先的高容量记录，标志着存储设备领域迈入了一个全新的容量纪元，预示着从数据中心到边缘计算，乃至人工智能等应用领域的数据存储能力将迎来质的飞跃。

凭借最新的 BiCS FLASH 技术，Kioxia 通过专有工艺和创新架构实现了存储器芯片的纵向和横向扩展。此外，该公司还采用了 CBA（CMOS 直接绑定到阵列）技术，实现了更高密度的器件和业界领先的 3.6 Gbps 接口速度。这些先进技术共同应用于 2 Tb QLC 的制造，使其成为业界容量最大的存储器件。

与 Kioxia 目前的第五代 QLC 器件相比，2 Tb QLC 的位密度高出约 2.3 倍，写入能效高出约 70%，是 Kioxia 产品中容量最高的器件。最新的 QLC 器件在单个存储器封装中采用 16 片堆叠架构，实现了业界领先的 4 TB 容量。它的封装尺寸更小，为 11.5 x 13.5 毫米，封装高度为 1.5 毫米。

除了 2 Tb QLC，Kioxia 还在其产品组合中增加了 1 Tb QLC 存储器。与容量优化的 2 Tb QLC 相比，性能优化的 1 Tb QLC 的连续写入性能提高了约 30%，读取延迟提高了约 15%。1 Tb QLC 将部署在高性能应用中，包括客户端固态硬盘和移动设备。

Kioxia 将继续开发业界领先的内存产品，以满足日益增长的数据存储解决方案需求。