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重磅！首次揭晓！查尔斯·西让你瞬间追溯到划时代突破的相变存储器(PRAM)发布

发布时间：2024-09-29 20:02:44 作者：电子资源网 阅读：5次

查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。

1969年，查尔斯·西(Charles Sie)发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

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相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态（低阻态）和非晶态 （高阻态）之间发生可逆相变互相转换，从而实现信息的写入 （“１”）和擦除（“０”）操作。

相互转换过程包含了晶态到非晶态的非晶化转变以及非晶态到晶态的晶化转变两个过程，其中前者被称为非晶化过程，后者被称为晶化过程。然后依靠测量对比两个物理相态间的电阻差异来实现信息的读出，这种非破坏性的读取过程，能够确保准确地读出器件单元中已存储的信息。

查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。

1969年，查尔斯·西(Charles Sie)发表了相变存储器(PRAM)论文，并进行了演示

新一代高速内存问世！XDR-DRAM于2003年震撼上市

XDR-DRAM于2003年开始销售。

2003年，XDR-DRAM开始销售

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XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写，这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起，新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计，同时可以工作在相当高的频率，带来让人难以置信的带宽。

选数管的诞生及其影响

1946年，Jan A.Rajchman和他的团队研发了选数管。

Jan A.Rajchman和他的团队于1946年研发了选数管

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选数管（英语：Selectron tube）是数字计算机存储设备的一种早期形式。选数管是在美籍俄裔发明家弗拉基米尔·佐利金（Владимир Козьмич Зворыкин，以发明电视机知名）的指导下，由Jan A. Rajchman和他的团队在RCA公司研发的。

在磁芯内存开始广泛流行之前，选数管的开发团队并未能够生产出可用于商业的选数管，因此，直到今天，选数管在应用上仍然不为大多数人了解。

Jan A.Rajchman和他的团队于1946年研发了选数管

（4096位选数管）

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