2009年1月8日，AMD发布第一个Phenom X4(四核)处理器

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Phenom X4系列处理器有以下特点：

浸没式光刻技术（Immersion Lithography）

通过与ibm公司的合作，AMD公司已经制定了一个稳定、高效的浸没式光刻技术进程，在保持产量符合传统光刻技术的同时更是有着超过常规光刻技术40%的涨幅，采用AMD公司45纳米技术的晶圆已经开始应用浸没式光刻技术了，AMD公司的分析表明，浸没式光刻技术是一种比传统光刻技术更有效率，更具本效益的方法。

第四代应变硅技术（Fourth-generATIon Strained Silicon）

AMD公司的45纳米制造工艺采用了他们的第四代应变硅（Fourth-generation Strained Silicon）技术，利用硅锗、双应力应变硅以及先进的应变记忆技术，能够有效提高晶体管的开关速度和电源效率。对于终端处理器产品而言，其运作时钟频率和效能均将从中获益。

超低K电介质（Ultra-low-k Dielectrics）

在一些日后的45纳米产品上，AMD公司计划采用超低K电介质（Ultra-low-k Dielectrics）以减少半导体芯片上晶体管间连接铜导线的延误率多达15%。低介电常数材料K值为3.0，而在采用超低K电介质后其K值为2.4，这无疑有助于芯片整体效能的提高。

高K栅介质和金属栅电极（High-k/metal Gates）

做为AMD公司“持续改进晶体管办法”（Continuous Transistor Improvement，CTI）的核心，AMD公司已经选择采用高K栅介质和金属栅电极，他们选择与ibm公司合作开发的方法，旨在用最有效率的方式迁移至高K栅介质和金属栅电极，这将进一步提高性能和降低能耗。

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