三星电子瞄准2025至2026年，革新移动内存领域：LP Wide I/O技术将位宽推升至512bit

7月17日消息，三星电子公布了其在移动内存技术上的最新突破——LP Wide I/O（简称LPWIO）内存的研发进展，这是根据该公司最新的2024年异构集成路线图所透露的信息。

值得注意的是，三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存，尚不能确认两者关系。

LP Wide I/O 内存将于 2025 年一季度实现技术就绪，2025 下半年至 2026 年中实现量产就绪。

路线图显示，LP Wide I/O 内存单封装位宽将达到现有 HBM 内存的一半 —— 即 512bit。

作为对比，目前的 LPDDR5 内存大多数是单封装四通道共 64bit，未来的 LPDDR6 内存也仅有 96bit。

更大的位宽意味着三星电子的 LP Wide I/O 内存可提供远胜于现有移动内存产品的内存带宽，满足设备端 AI 应用等场景的需求。

在相对较小的移动内存芯片上实现 512bit 位宽，势必需要堆叠 DRAM 芯片，但 HBM 采用的 TSV 硅通孔方式也不适合移动内存各层 DRAM 间的互联。

因此三星电子将在 LP Wide I/O 内存上采用一项名为 VCS (全称 Vertical Cu Post Stack) 的全新垂直互联技术。

同 SK 海力士的 VFO 技术类似，三星电子的 VCS 技术也是将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子表示，VCS 先进封装技术相较传统引线键合拥有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和带宽；

相较 VWB 垂直引线键合 全称 Vertical Wire Bonding，疑似指代 SK 海力士的 VFO 技术) ，三星电子宣称其 VCS 技术的生产效率是前者 9 倍。

三星电子在图片中还提到，其 LPDDR6 内存也预计于 2025~2026 年量产就绪。

三星电子工会决意无限期停工：虽近年薪资已增29%，仍求更高待遇

7月12日消息，三星电子的最大工会组织——全国三星电子工会（National Samsung Electronics Union，简称NSEU）宣布，鉴于管理层未展现出足够的谈判诚意，决定将原定为期三天的罢工行动无限期延长。

在罢工前，三星已经和工会开展了10多次谈判，工会要求涨薪 6.5%，并按公司收入灵活发放奖金，增加休假，而三星只愿意涨 5.1%。

在过去2020-2023年的四年中，三星电子已经累计为员工涨薪了28.9%，若按照今年5.1%的涨幅计算，从2020年至今，三星电子将为员工累计普涨薪水超过三分之一。

然而，员工们对于管理层去年获得的大笔奖金表示不满，认为在公司利润不佳的情况下，管理层仍享有高额奖金是不合理的。

工会表示，目前已有6500名员工参与了罢工，影响了生产，不过三星电子对此表示否认，并声称将确保生产线不受影响，同时承诺与工会进行诚信谈判。

这场罢工是三星电子历史上最大规模的有组织劳工行动，可能会对公司的正常运营和全球芯片供应链产生连锁反应。

三星电子在全球芯片市场中占据重要地位，罢工可能导致全球智能设备市场面临组件短缺的风险。

三星华城17号线启动HBM3内存量产，平泽P4全力转产DRAM应对市场紧俏

近日消息，三星不仅有望在第三季度向英伟达交付产品，实际上根据韩国媒体的最新报道，三星已于华城的17号生产线启动了HBM3内存的批量生产，并已着手向英伟达供货，此举进一步证实了双方合作的加速步伐。

此外，为弥补 HBM 供应造成的通用 DRAM 内存供应短缺，平泽 P4 工厂转为 DRAM 专用生产线。

三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设。韩媒称 NAND 闪存产线也没有进一步投资的计划。

业内人士称：

目前，P4 是三星（韩国）国内业务中唯一可以增加 DRAM 产能的空间。该公司已经制定了计划，在可以增加半导体产能的空间首先投资 DRAM。