SK海力士HBM内存：70%年增长率背后的消费级市场潜力揭秘

7月5日消息，SK海力士的副总裁及封装技术部门主管文奇郁（Moon Ki-ill）在4日于首尔召开的会议上透露，HBM内存的预计年均复合增长率（CAGR）将会高达70%。这一发言凸显了SK海力士对HBM市场未来发展的高度乐观态度及其强劲的增长潜力。

Moon Ki-ill 表示，市场研究机构 TrendForce 集邦咨询曾认为 2021~2027 年 HBM 内存市场的 CAGR 将为 26.4%，但下游客户的需求远远超过了第三方机构的预期。

根据以往报道，以 SK 海力士为首的三大 DRAM 企业已基本售罄 2025 年的 HBM 供应。

Moon Ki-ill 还提到，HBM 目前主要用于 AI 加速器，但未来价格下降后有望渗透到以 PC 和移动设备为代表的消费级市场。

AMD 曾在 GCN 架构世代推出过数款搭载 HBM 内存的高端消费级显卡（如 RX Vega 64、R9 Fury X 等），但那之后 HBM 就退出了消费级的视野。

Moon Ki-ill 称：“SK 海力士正在为 16 和 20 层堆叠的 HBM 内存生产准备混合键合技术，这将使它们在价格上更具竞争力。”

SK海力士中国公司恢复正常经营状态，顺利退出市场监管异常名单

近日消息，SK海力士半导体（中国）有限公司在经历了短暂的经营状态异常后，已于7月15日正式被当地市场监管部门移出了经营异常名录。

此前，由于未能按时提交年度报告，该公司于7月初被列入了异常经营企业名单。不过，在及时履行了相关义务并提交了信用修复申请之后，SK海力士迅速恢复了其正常的企业运营状态，标志着其在中国市场的业务活动重新步入正轨。

报道称，SK 海力士于今年 7 月 5 日被列入异常经营名录，经核查，该公司已履行相关义务，在 7 月 15 日提出信用修复申请后，无锡国家高新技术产业开发区市场监管局当日将其移出经营异常名录。

查询获悉，SK 海力士半导体（中国）有限公司于 2005 年 4 月在江苏无锡投资设立，是韩国 SK 海力士株式会社的最大规模海外生产基地。该公司主要生产 DRAM，产品应用范围涉及服务器、智能手机、计算机、消费电子等领域。

今年 5 月消息称，SK 海力士子公司 SK 海力士系统集成电路拟向无锡产业发展集团有限公司转让所持有的 SK 海力士系统集成电路（无锡）有限公司 49.9% 股权。

SK 海力士系统集成电路于 2018 年从母公司独立，主要从事 8 英寸晶圆成熟制程代工业务，产品覆盖车用 PMIC、电视 DDI 等类别。韩媒认为，SK 海力士系统集成电路此举是为了加强无锡晶圆厂同中国市场的联系，扩大在中业务。

SK海力士GDDR7震撼发布：性能巅峰，较前代跃升60%，重塑图形内存新标杆

7月30日消息，SK海力士于今日宣布成功推出全球性能巅峰的最新一代显存产品——GDDR7，这一里程碑式的产品标志着显存技术的又一重大飞跃，预期将为图形处理和高端计算应用带来显著性能提升。

SK 海力士表示：“GDDR 具备了专用于图形处理的性能和高速度的特性，全球人工智能应用客户对其关注度日益增加。顺应这一趋势，公司已于今年 3 月份开发完成最新规格的 GDDR7，此次正式推出并将于今年第三季度开始量产。”

SK 海力士的 GDDR7 实现了高达 32Gbps（每秒 32 千兆字节）的运行速度，其与前一代相比提高了 60% 以上，根据使用环境速度最高可达 40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上，可支持每秒 1.5TB（太字节）以上的数据处理，其相当于在 1 秒内可处理 300 部全高清（Full-HD）级电影（5GB）。

GDDR7 可提供更快速度的同时，能效与前一代相比提升了 50% 以上。SK 海力士为了解决超高速处理数据所导致的芯片发热问题，在此次产品研发过程中采用了封装（Packaging）新技术。

SK 海力士的技术团队维持产品尺寸的同时，将用于封装的放热基板从四层增至六层，并在封装材料中使用具有高导热性的环氧树脂模塑料（EMC）。由此，技术团队成功地将该产品的热阻与前一代相比减少了 74%。

SK海力士强化环保举措，采用氟气替换三氟化氮于芯片生产，引领绿色制造潮流

近日消息，SK海力士宣布了一项环保举措，即将在芯片制造的清洗流程中采用氟气（F2），此举旨在减少生产过程中的环境影响，推进半导体产业的绿色化进程。

SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3 的 GWP 为 17200，而 F2 为 0）。

除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。