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相变存储器
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相变存储器是由电子资源网在2024-09-29整理发布, 共计 1个文章,包含了重磅!首次揭晓!查尔斯·西让你瞬间追溯到划时代突破的相变存储器(PRAM)发布, 希望你能喜欢。
  • 查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文,描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化,但像三星这样的公司仍在开发它。 扩展阅读 相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号,使相变材料发生物理相态的变化,即晶态(低阻态)和非晶态 (高阻态)之间发生可逆相变互相转换,从而...

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