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e-GaN芯片

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西安电子科大实现1200V以上e-GaN芯片量产，半导体行业迎来新里程碑
2024-08-11
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7月11日消息，科研领域传来振奋人心的消息，西安电子科技大学位于广州的研究机构——广州研究院第三代半导体创新中心，其研究团队在半导体材料科学领域取得了显著成就。该团队在蓝宝石衬底上的增强型氮化镓(e-GaN)电力电子芯片的批量生产技术上，成功攻克了一系列关键性难题，实现了技术的重大突破。研究团队攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化镓）缓冲层外延、p-GaN 栅 HEMTs 设计与制造、可靠性加固...