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闪存

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Masuoka博士于1987年发明了NAND闪存，极大降低了制造成本
2024-07-25
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1986年，舛冈博士发明了NAND Flash，大大降低了闪存的制造成本，推动东芝成为世界半导体产业的巨头，彻底改写人类信息时代的面貌。扩展阅读： NAND Flash具有较快的抹写时间，而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除...
贝尔实验室1967年开创浮栅MOSFET闪存之先河
2024-07-26
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1967年。贝尔实验室江大原（Dawon Kahng，韩裔）和施敏博士（Simon Sze）共同发明了浮栅MOSFET，即所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。扩展阅读浮栅MOSFET，可以把电子牢牢关在基板和金属浮栅极之间的一片小小导体中。这种结构，是NAND闪存的基础。浮栅MOSFET的栅极是电绝缘的，从而...