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内存历史记录

内存历史记录是由电子资源网在2024-07-24整理发布, 共计 12个文章，包含了新一代高速内存问世！XDR-DRAM于2003年震撼上市,麻省理工学院创下难忘里程碑，推出突破性数字计算机！,约翰阿塔纳索夫：ABC计算机的开创者，希望你能喜欢。

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新一代高速内存问世！XDR-DRAM于2003年震撼上市
2024-07-24
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XDR-DRAM于2003年开始销售。扩展阅读 XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写，这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起，新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计，同时可以工作在相当高的频率，带来让人难以置信的带宽。英特尔发布商用DRAM英特尔1103：一款历...
麻省理工学院创下难忘里程碑，推出突破性数字计算机！
2024-07-25
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麻省理工学院于1955年3月8日推出了旋风式计算机，这是一款革命性的计算机，它是第一台带有磁芯RAM的数字计算机。扩展阅读旋风机起初的运算速度只有20kips，投入实用还有相当距离。问题主要集中在主存储器——威廉姆斯管的使用上。为解决难题，Forrester曾尝试过使用螺旋状磁带代替，效果不佳，最终选择了磁芯存储器。由此，旋风机的运算速度得以提...
约翰阿塔纳索夫：ABC计算机的开创者
2024-07-25
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约翰阿塔纳索夫于1942年成功地测试了ABC（阿塔纳索夫贝里计算机），这是第一台使用再生电容鼓存储器的计算机。扩展阅读阿塔纳索夫-贝瑞计算机（Atanasoff–Berry Computer，通常简称ABC计算机）是世界上第一台电子数字计算设备。这台计算机在1937年设计，不可编程，仅仅设计用于求解线性方程组，并在1942年成功进行了...
1983年，中国顶尖科技公司创造出革命性的单一内联存储模块（SIMM）
2024-07-26
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wang Laboratories于1983年发明了单内联存储模块（SIMM）。扩展阅读单列直插式内存模块（single in-line memory module，缩写SIMM）是一种在20世纪80年代初到90年代后期在计算机中使用的包含随机存取存储器的内存模块。它与现今最常见的双列直插式内存模块（DIMM）不同之处在于，SIMM模块两侧的触...
IBM T.J. Watson研究中心的Robert Dennard博士成功取得DRAM专利
2024-07-27
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1968年6月4日，IBM T.J.Watson研究中心的Robert Dennard博士获得美国专利3387286，该专利描述了一个单晶体管DRAM单元。DRAM稍后将取代计算机中的磁芯存储器。扩展阅读动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容...
三星在1993年引领行业，推出KM48SL2000同步DRAM，成为标杆
2024-07-30
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三星推出了KM48SL2000同步DRAM（SDRAM），并在1993年迅速成为行业标准。扩展阅读同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而...
DDR4 SDRAM计划：即将开始实行！
2024-07-30
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DDR4 SDRAM计划于2014年9月开始实行。扩展阅读 DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日，三星电子完成史上第一条DDR4规格的内存。 DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V...
华裔王安引领创新：磁芯存储器传承百年宏图
2024-07-31
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磁芯存储器是华裔王安于1948年发明的。最初的磁芯存储器只有几百个字节的容量。扩展阅读磁芯存储器是随机存取计算机存储器的主要形式，存在20年。这种存储器通常被称为核心存储器，或者非正式地称为核心存储器。核心使用微小的磁环（环），核心通过线程来写入和读取信息。每个核心代表一点信息。磁芯可以以两种不同的方式（顺时针或逆时针）磁化，存储在磁...
苹果公司全新力作，eMac轰动登场！
2024-08-01
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eMac（为“education Mac”教育用电脑的简称）是由苹果公司推出的麦金塔台式机。与苹果第二代的iMac相比，本产品的售价较低，是为了教育市场的需求而设计。eMac的设计与第一代的iMac电脑类似，将屏幕、主机、光盘驱动器、扬声器等设备组合在一起，成为称作“all-in-one”的整体设计。eMac使用了PowerPC G4处理器，和旧款iMac的G3处理器相比要快上许多，屏幕的尺...
DDR2 SDRAM标准步入舞台：为2003年打造的革命性技术
2024-08-10
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DDR2 SDRAM标准于2003年开始实行。扩展阅读： DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍以上一代...
重磅！首次揭晓！查尔斯·西让你瞬间追溯到划时代突破的相变存储器(PRAM)发布
2024-09-29
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查尔斯·西(Charles Sie)在爱荷华州立大学发表了一篇论文，描述并演示了相变存储器(PRAM)。尽管PRAM一直没有商业化，但像三星这样的公司仍在开发它。扩展阅读相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态（低阻态）和非晶态（高阻态）之间发生可逆相变互相转换，从而...
Fujio Masuoka: The Revolutionary Mind Behind Flash Memory
2025-01-29
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Fujio Masuoka在1984年发明了闪存。扩展阅读闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为...